内存类型的缩写很搞：dynamic RAM ,static RAM, DRAM, SDRAM分别代表什么？
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Synchronous DRAM，SDRAM, 同步动态随机存储器：是目前主推的PC 100和PC 133规范所广泛使用的内存类型，它的带宽为64位，3.3V电压，目前产品的最高速度可达5ns。它与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。
SDRAM是英文SynchronousDRAM（DRAM是动态存储器－－Dynamic RAM的缩写）的缩写，译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲，同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，且也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。
双倍速率SDRAM（Dual Date Rate SDRSM，DDR SDRAM）：又简称DDR，由于它在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s。DDR不支持3.3V电压的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2标准。它仍然可以沿用现有SDRAM的生产体系，制造成本比SDRAM略高一些，但仍要远小于Rambus的价格，因为制造普通SDRAM的设备只需稍作改进就能进行DDR内存的生产，而且它也不存在专利等方面的问题，所以它代表着未来能与Rambus相抗衡的内存发展的一个方向。
SRAM Static Random Access Memory。靜態隨機存取記憶體。
記憶體的一種，每個位元使用六個電晶體組成，其存取時間較短，製造成本較高，主要用作快取記憶體（Cache Memory）。由於常用作快取記憶體，SRAM常被叫做Cache RAM。是以記憶胞內電晶體的導電狀態來儲存資料。
SRAM的設計是採用互耦合電晶體為基礎，沒有電容器放電的問題，不需要不斷充電以保持資料不流失，也就是不須做記憶體更新的動作，所以稱為靜態隨機存取記憶體。
SRAM原來的主要用途是在主機板上，作為快取記憶體，但因L2（第二階快取）逐漸內建於CPU中，使SRAM在個人電腦市場的應用空間漸漸縮小，未來的發展以通訊市場為重點，主要是手機市場。
接口动态随机存储器（Direct Rambus DRAM, DRDRAM）：是Intel所推崇的未来内存的发展方向，它将RISC（精简指令集）引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。它具有相对SDRAM较高的工作频率（不低于300MHz），但其数据通道接口带宽较低，只有16位，当工作时钟为300MHz时，Rambus利用时钟的上沿和下沿分别传输数据，因此它的数据传输率能达到300×16×2/8=1.2GB/s，若是两个通道，就是2.4GB/s。它与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令变化，同一组引脚线既可以被定义成地址线也可以被定义成控制线。其引脚数仅为普通DRAM的三分之一。
虚拟通道存储器（Virtual Channel Memory, VCM），是目前大多数最新的主板芯片组都支持的一种内存标准，VCM是由NEC公司开发的一种的“缓冲式DRAM”，该技术将在大容量SDRAM中采用。它集成了所谓的“通道缓冲”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不管数据是否经过CPU处理都可以先行交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，这就是为什么VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上的原因。
CL（CAS Latency）：为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。比如现在大多数的SDRAM（在外频为100MHz时）都能运行在CAS Latency = 2或3的模式下，也就是说，这时它们读取数据的延迟时间可以是2个时钟周期或3个时钟周期。
tCK（TCLK）：为系统时钟周期，它代表SDRAM所能运行的最大频率。数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC 100 SDRAM来说，它芯片上的标识“-10”代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。
tAC（Access time from CLK）：是最大CAS延迟时的最大数输入时钟，PC 100规范要求在CL=3时tAC不大于6ns。某些内存编号的位数表示的是这个值。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。
对于PC 100内存来说，要求当CL=3的时候，tCK的数值要小于10ns、tAC要小于6ns。关于总延迟时间的计算一般用这个公式: 总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间（tAC），比如某PC 100内存的存取时间为6ns，我们设定CL模式数为2（即CAS Latency=2），则总延迟时间=10ns×2+ 6ns= 26ns，这就是评价内存性能高低的重要数值。如果PC 100、PC 133内存只使用在66MHz或100MHz总线下，应该将CAS Latency的数值设为2，这样内存无疑会有更好的性能。